Zobrazeno 1 - 10
of 83
pro vyhledávání: '"DCFL"'
Autor:
Fan Li, Shiqiang Wu, Ang Li, Yuhao Zhu, Miao Cui, Jiangmin Gu, Ping Zhang, Yinchao Zhao, Huiqing Wen, Wen Liu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 457-463 (2024)
This study demonstrates the first work that achieves accurate modeling of Hydrogen plasmatreated (H-treated) p-GaN gate devices with the ASM-GaN model, facilitating simulations for applications in monolithic integrated circuit (IC) design. The workfl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4bef0561b2914d218ada4b5452e27080
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kekely, Michal
This thesis deals with design and implementation of mapping of match action tables from P4 language to FPGA technology. Goal of the thesis was to describe key principles, which need to be understood in order to design such a mapping and function of a
Externí odkaz:
http://www.nusl.cz/ntk/nusl-255356
Publikováno v:
九州大学大学院システム情報科学紀要. 2(1):47-52
This paper describes low-power and high-speed RTD/HEMT (Resonant Tunneling Diode / High-Electron Mobility Transistor) logic circuits. In order to estimate RTD/HEMT logic gates using ordinary GaAs/A1GaAs HEMT in detail by using real device parameters
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::3fa07a0347ac5c72af96e0087e402f95
http://hdl.handle.net/2324/1475363
http://hdl.handle.net/2324/1475363
Autor:
Nilsson, Tony, Samuelsson, Carl
A 5-bit MMIC serial to parallel converter has been designed in Gallium Arsenide. It is intended to be used together with a 5-bit True Time Delay (TTD) circuit, but it can easily be expanded into an arbitrary number of bits. The circuit has been desig
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-1175
Autor:
Radice, Richard A
There is a growing need for the use of electronics in radiation environments such as space. Gallium arsenide (GaAs) semiconductor technology is highly desirable for these applications because it consumes less power at higher speeds than silicon (Si)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2778::b8616d2ba75dea8d9bca87201655e8ec
https://hdl.handle.net/10945/8970
https://hdl.handle.net/10945/8970
Publikováno v:
Proceedings.-International-Workshop-on-Memory-Technology,-Design-and-Testing-Cat.-No.97TB100159.
Proceedings.-International-Workshop-on-Memory-Technology,-Design-and-Testing-Cat.-No.97TB100159., 1997, San Jose, CA, United States. pp.58-63, ⟨10.1109/MTDT.1997.619396⟩
Proceedings.-International-Workshop-on-Memory-Technology,-Design-and-Testing-Cat.-No.97TB100159., 1997, San Jose, CA, United States. pp.58-63, ⟨10.1109/MTDT.1997.619396⟩
ISBN: 0818680997; Gallium Arsenide (GaAs) is used in the design of high speed systems; however, it is difficult or impossible to realize high-capacity ROMs, because of subthreshold currents and an unacceptable power dissipation. This paper describes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::de6dc4b230bc4865cbaebc990a83524c
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00014721
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00014721