Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"D.W.E. Verbugt"'
Autor:
A.J. Mierop, N.V. Loukianova, D.W.E. Verbugt, E. Roks, H.O. Folkerts, J.P. Maas, W. Hoekstra, Albert J. P. Theuwissen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 50:77-83
In this paper, we present an extensive study of leakage current mechanisms in diodes to model the dark current of various pixel architectures for active pixel CMOS image sensors. Dedicated test structures made in 0.35-/spl mu/m CMOS have been investi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.