Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"D.W.E. Verbugt"'
Autor:
A.J. Mierop, N.V. Loukianova, D.W.E. Verbugt, E. Roks, H.O. Folkerts, J.P. Maas, W. Hoekstra, Albert J. P. Theuwissen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 50:77-83
In this paper, we present an extensive study of leakage current mechanisms in diodes to model the dark current of various pixel architectures for active pixel CMOS image sensors. Dedicated test structures made in 0.35-/spl mu/m CMOS have been investi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bfc2110903fa7b7fdefb42e22fad8a74
https://doi.org/10.1109/ted.2002.807249
https://doi.org/10.1109/ted.2002.807249
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microwave & Optical Technology Letters; 6/20/2005, Vol. 45 Issue 6, p507-514, 8p, 1 Black and White Photograph, 6 Diagrams, 3 Charts, 4 Graphs
Autor:
Jun Ohta
Revised and expanded for this new edition, Smart CMOS Image Sensors and Applications, Second Edition is the only book available devoted to smart CMOS image sensors and applications. The book describes the fundamentals of CMOS image sensors and optoel
Autor:
Jun Ohta
Because of their high noise immunity and low static power supply drain, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices produce less heat than other forms of logic and allow a high density of logic functions on a chip. These beneficial charact