Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"D.S. Silkin"'
Publikováno v:
Proceedings of Universities. Electronics. 26:374-386
Transition from planar MOSFET structures to FinFET 3D structures ensures various radiation type resistance. However, the characteristics of radiation-exposed devices made at different factories vary considerably and it is hard to explain FinFET struc
Publikováno v:
Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development. :2-6
Autor:
D.S. Silkin, V.P. Paderov
Publikováno v:
2016 13th International Scientific-Technical Conference on Actual Problems of Electronics Instrument Engineering (APEIE).
The article examines the influence of the topology of the light triggered thyristor with a shorted main cathode and amplifying gate on the dV/dt effect. Derived the analytical condition for the topology, the implementation of which allows to realize
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.