Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"D.S. Mizginov"'
Publikováno v:
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. :32-34
In this article, a study was made of the charge storage time in a memristor based on SiN. The distribution profile of traps in the band gap of SiN, their energy and concentration are determined.
Publikováno v:
Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika. 22:153-164
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.