Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"D.S. Mc Phail"'
Autor:
Daniel Donoval, Gert Irmer, R. Srnanek, D.S. Mc Phail, A. Christoffi, Marek Tłaczała, B. Sciana, J. Osvald, Damian Radziewicz
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 39:1439-1443
Micro-Raman spectroscopy was used to characterize beveled Zn delta (@d)-doped GaAs structures. By adapting procedures previously developed for the study of Si @d-doped GaAs structures, Zn-doping profiles were obtained for a set of structures prepared
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c934e27ccf3352c748789afe9d2f23ea
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.039
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.06.039
Autor:
Peter Kordos, Damian Radziewicz, Rudolf Srnanek, Jaroslav Kováč, B. Sciana, J. Geurts, M. Lentze, M. Florovic, Andrej Vincze, Marek Tłaczała, D.S. Mc Phail, Daniel Donoval, Gert Irmer
Publikováno v:
Thin Solid Films. 497:7-15
We present a new method of determining the depth profile of the doping concentration in Si δ-doped GaAs layers and GaAs-based heterostructures by micro-Raman spectroscopy. In-depth resolution is obtained by scanning the laser spot along a shallow be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea73278ddcad68f42a2d450201060357
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.155
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.155
Autor:
Damian Radziewicz, P. Prunici, B. Sciana, Marek Tłaczała, Andrej Vincze, M. Florovic, Rudolf Srnanek, Gert Irmer, D.S. Mc Phail, M. Vesely, Jaroslav Kováč
Publikováno v:
Vacuum. 80:20-23
A new method for determining the doping concentrations in very thin GaAs layers is presented. The method is based on the evaluation and calibration of the changes in ratio of transversal to longitudinal optical phonon intensities measured by micro-Ra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf2fda0d6e8fd53d0bddb651884fae24
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2005.07.021
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2005.07.021
Autor:
D.S. Mc Phail, R. Kinder, L. Peternai, R. J. Chater, Marek Tłaczała, B. Sciana, Jaroslav Kováč, Damian Radziewicz, R. Srnanek, S. Fearn, J. Geurts
Publikováno v:
physica status solidi (c). :1055-1059
This paper reports a method for the determination of doping concentration profile in single and multi δ-doped GaAs layers on bevelled samples. The method is based on the recording and evaluation of micro-photoluminescence spectra along the bevelled
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35dea6e1d7ea4283640955871221527d
https://doi.org/10.1002/pssc.200306244
https://doi.org/10.1002/pssc.200306244
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :87-90
Bevelled structures of strained and relaxed GaAsN and GaInAsN layers have been investigated by Raman spectroscopy. The diagnostics of GaAsN and GaInAsN layers was for the first time carried out using this method. The ratio of TO/LO phonon intensities
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1225ba3b40ac63e03c433cc7d801ac05
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(01)00979-5
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(01)00979-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.