Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"D.S. Hurta"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 39:2121-2125
A novel SEU (single event upset) resistant SRAM (static random access memory) cell has been implemented in a 256 K SOI (silicon on insulator) SRAM that has attractive performance characteristics over the military temperature range of -55 to +125 degr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a7f9fad79070da288a3cf717bc86003
https://doi.org/10.1109/23.211411
https://doi.org/10.1109/23.211411
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.