Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"D.P. Klemer"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 35:1639-1644
We present a physics-based model for GaAs metal semiconductor field-effect transistors (MESFETs). The present model improves an existing model by allowing the possibility that the electric field near the source region can exceed a critical field, whi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96db376b677d21511414a3a5d7ae2e0b
https://doi.org/10.1016/0038-1101(92)90191-e
https://doi.org/10.1016/0038-1101(92)90191-e
Publikováno v:
1992 IEEE Microwave Symposium Digest MTT-S.
Direct on-wafer U-band measurements of GaAs Schottky diodes have allowed for the development of bias-dependent nonlinear device models. The devices were low-parasitic capacitance planar diodes, fabricated on epitaxial (n-on-n/sup +/ GaAs) substrates
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa2cea1762284257b50e53dcb7fc20e6
https://doi.org/10.1109/mwsym.1992.188092
https://doi.org/10.1109/mwsym.1992.188092
Publikováno v:
IEEE International Digest on Microwave Symposium.
A Newton-Raphson iterative technique is used to optimize the values of circuit parameters which characterize a voltage-controlled surface acoustic wave (SAW)-stabilized oscillator (VCSO). An expression given by T.E. Parker (1987) is used to calculate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::096be9f4dcee5f15fcffc8636ae06092
https://doi.org/10.1109/mwsym.1990.99810
https://doi.org/10.1109/mwsym.1990.99810
Publikováno v:
Conference Record Southcon.
This paper presents results of the use of a device-physics-based MESFET analysis code to predict the effects of process-induced variations on MESFET parameters. Such an approach is useful for predicting device yields and sensitivities of device param
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce83b91fd11f4f6f2965ad0c157fff04
https://doi.org/10.1109/southc.1994.498109
https://doi.org/10.1109/southc.1994.498109
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.B. Sharpe, D.P. Klemer
Publikováno v:
IEEE Transactions on Antennas and Propagation. 36:269-276
An integral equation was previously derived by the authors (ibid., vol.AP-34, p.546-53, Apr. 1986) for the inverse problem associated with finite-length nonuniform lines having known impedance discontinuities at the input and output. A procedure for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6aa2ad014c4a3a5f6c34ca248a7c1ebe
https://doi.org/10.1109/8.1104
https://doi.org/10.1109/8.1104
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.