Zobrazeno 1 - 10
of 182
pro vyhledávání: '"D.M. Maher"'
Autor:
Jan Linnros, R. V. Knoell, James Williams, A. Leiberich, W. L. Brown, D.M. Maher, Robert Elliman
At temperatures well below those for which thermally activated solid phase crystallization of amorphous silicon can be observed, crystallization can be stimulated by ion bombardment. Atomic displacements produced by the bombarding ions allow rearrang
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea28dbe1b956ec3dff7a244fc25d5b12
https://doi.org/10.1201/9781003069621-10
https://doi.org/10.1201/9781003069621-10
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. :587-591
Hydrogenated silicon,germanium alloys, which span the transition from amorphous to polycrystalline microstructures, have been prepared by reactive magnetron sputtering from pure crystalline Si and Ge targets in a hydrogen ambient using argon as the s
Autor:
D.M. Maher, Mehmet C. Öztürk, J.R. Hauser, J.J. Wortman, N. A. Masnari, R.J. Markunas, Gerald Lucovsky
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE. 81:42-59
Microelectronics manufacturing technology is rapidly moving toward integrated circuits with submicron minimum feature sizes. This is being driven by the development of devices and circuits with reduced device lateral dimensions, increased density per
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Thin amorphous silicon layers can be produced in crystalline silicon substrates by ion-implantation. Subsequent ion-irradiation at elevated temperatures can induce such layers to either crystallize epitaxially or increase in thickness, layer by layer
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 62:3156-3160
With x‐ray diffraction techniques, it is possible to routinely measure lattice parameters to several parts in 104 for thin‐film samples. However, measurements of lattice parameter changes for quaternary device structures several microns in width