Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"D.L. Leung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
John P. Hurrell, J.F. Knudsen, D.L. Leung, Roger C. Newman, David M. Cobert, D.C. Mayer, Robert C. Cole
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 138:3771-3777
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :1067-1071
Ion beam modification of materials has been used for the formation of high quality single-crystal silicon (c-Si) over oxide, for high speed CMOS device applications. In the lateral solid phase epitaxy (LSPE) technique, thin c-Si layers (typically 300
Autor:
D.L. Leung, T.J. Lie, T.K. Tsubota, R. Koga, K.B. Crawford, S.D. Pinkerton, P.B. Grant, D.C. Mayer, W.A. Kolasinski
Publikováno v:
RADECS 93. Second European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Cat. No.93TH0616-3).
The occurrence of single ion induced multiple-bit upset in IDT71256 256K SRAMs was investigated using high energy heavy ions, with special attention to upsets affecting bits within the same logical memory word. >
Autor:
D.C. Mayer, D.L. Leung
Publikováno v:
1991 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Solid phase isolated regrowth for radiation immune technology (SPIRRIT) incorporates lateral epitaxial overgrowth into a standard CMOS process to improve circuit speed and immunity to latchup and single event upset. In previous work, a high-dose ion
Publikováno v:
1990 IEEE SOS/SOI Technology Conference. Proceedings.
The effect of process parameters on the quality of recrystallized material using rapid thermal processing (RTP) was evaluated. Both X-ray rocking curve and Read camera analysis were used to verify the crystalline quality of the regrown material. It i
Publikováno v:
1998 GaAs Reliability Workshop. Proceedings (Cat. No.98EX219).
The reliability of GaAs MIMCAPs is studied. The MIMCAPs have a low temperature PECVD nitride, Au metal electrodes and Ti adhesion layers. By examining the conduction properties of the SiN dielectric in these capacitors, a model is proposed to predict
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.