Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"D.Kh. Ofengeim"'
Autor:
Alexandr Dmitrievich Roenkov, Yu. A. Vodakov, Yu.N. Makarov, J.S. Barash, S. Yu. Karpov, I.D. Matukov, Heikki Helava, Ramm, E. N. Mokhov, M.G. Ramm, D.Kh. Ofengeim, D.S. Kalinin, M.V. Bogdanov
Publikováno v:
Materials Science Forum. :63-66
In this paper, we suggest a model of facet formation during bulk SiC growth by Physical Vapor Transport (PVT). The model considers the step-flow growth, with the step density dependent on the local orientation of the crystallization front with respec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aeab11153c75548979e7f0243b45ab39
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.63
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.63
Autor:
Heikki Helava, D.Kh. Ofengeim, E. N. Mokhov, Yu.N. Makarov, I.D. Matukov, Yu. A. Vodakov, M.V. Bogdanov, J.S. Barash, M.G. Ramm, D.S. Kalinin, Alexandr Dmitrievich Roenkov, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 266:313-319
Control of the crystallization front profile is of great importance for various aspects of bulk SiC crystal growth by physical vapor transport. The structural defect density, doping uniformity, and polytype stability are largely dependent on the prof
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83c013a9da69e99824f903a0f3b70813
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.02.060
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.02.060
Autor:
D.Kh. Ofengeim, A.V. Kulik, Yu.N. Makarov, S. Yu. Karpov, A.V. Tsiryulnikov, A.O. Galyukov, A.I. Zhmakin, M. S. Ramm, M.V. Bogdanov, S.K. Kochuguev
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 225:307-311
We propose a new approach to optimization of SiC bulk crystal growth based on modeling. The idea is to employ a special software tool ‘‘virtual reactor’’ (VR) operated by the user of the code as an actual crystal growth system. The software t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9208f0bb84715bc573a7f7f8f7c1b9b6
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00879-x
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00879-x
Autor:
Alexandr Dmitrievich Roenkov, I.D. Matukov, D.Kh. Ofengeim, J.S. Barash, M. S. Ramm, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, S. Yu. Karpov, D.S. Kalinin, M.V. Bogdanov, E. N. Mokhov, Yu. A. Vodakov, Heikki Helava
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 268:328
Erratum to ‘‘Modeling of facet formation in SiC bulk crystal growth’’ [CRYS 266 (2004) 313] I.D. Matukov, D.S. Kalinin, M.V. Bogdanov, S.Yu. Karpov, D.Kh. Ofengeim, M.S. Ramm*, J.S. Barash, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov, M.G. Ramm,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6f6af2ebb7db2feaef4aeaaa1512d1c
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.05.025
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.05.025
Autor:
Yu. Makarov, Yu. A. Vodakov, M.V. Bogdanov, D.Kh. Ofengeim, M. S. Ramm, A.V. Kulik, Alexandr Dmitrievich Roenkov, E. N. Mokhov, S. Yu. Karpov, Heikki Helava, S. E. Demina
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Recently, an advanced technique for growing free-spreading SiC bulk crystals by sublimation has been demonstrated. This method was used to grow 6H- and 4H-SiC boules free of polycrystalline deposits on the crystal periphery, up to 35 mm in diameter w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2a64b513b727d5f3d19f3d283265d2cf
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0038179797&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0038179797&partnerID=MN8TOARS
Autor:
Yu.N. Makarov, A.O. Galyukov, A.E. Komissarov, I. A. Zhmakin, O.V. Bord, A.M. Serkov, A.V. Tsiryulnikov, S. Yu. Karpov, M.V. Bogdanov, A.V. Kulik, D.Kh. Ofengeim, A.I. Zhmakin, Ramm, S.K. Kochuguev
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c35c965ed1100fa727ed449255ebc21c
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-4243680483&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-4243680483&partnerID=MN8TOARS
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.