Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"D.J. Redwine"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 9:579-581
The field-induced drain-leakage current can become significant in NMOS devices with thin gate oxides. This leakage current component is found to be more prominent in devices with gate-drain overlap and can increase considerably with hot-electron stre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c74141e0d3f3500dd8544ab8d1bff8b2
https://doi.org/10.1109/55.9282
https://doi.org/10.1109/55.9282
Publikováno v:
1979 International Electron Devices Meeting.
A high performance state-of-the-art single supply 16K × 1 NMOS dynamic RAM was designed and fabricated using a grounded substrate and employing an evolutionary semiempirical short channel transistor model. The semiempirical device model is compatibl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9437e65de1e429e9fb7655c90f011ff
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189624
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189624
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.