Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"D.J. Pearman"'
Autor:
T.E. Whall, G. Pailloncy, Jean-Pierre Raskin, J.M. Larson, Evan H. C. Parker, J. Snyder, D.J. Pearman
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 54:2796-2802
The dc and radio-frequency performance of 85-nm gate-length p-channel PtSi source/drain Schottky-barrier MOSFETs on two wafers with differing source/drain silicide anneal temperatures has been investigated. ON currents of 545 mA/ mm and transconducta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5f781e47c1a90517e532b62c3991b72b
https://doi.org/10.1109/ted.2007.904985
https://doi.org/10.1109/ted.2007.904985
Autor:
J.M. Larson, Jean-Pierre Raskin, G. Pailloncy, T.E. Whall, D.L. Leadley, D.J. Pearman, J. Snyder
A radio-frequency performance of 85-nm gate-length p-type Schottky barrier (SB) with PtSi source/drain materials is investigated. The impact of silicidation annealing temperature on the high-frequency behavior of SB MOSFETs is analyzed using an extri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b4f0aaa102330981c4d7fd7054a972e
http://wrap.warwick.ac.uk/2983/1/WRAP_Leadley_High_Frequency_performance.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/2983/1/WRAP_Leadley_High_Frequency_performance.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.