Zobrazeno 1 - 10
of 187
pro vyhledávání: '"D.G. Zhao"'
Publikováno v:
Brodogradnja, Vol 71, Iss 4, Pp 81-94 (2020)
Resistance test is a classical method used to study ship performance. In this study, the uncertainty of large-scale ship model resistance test in actual seas is analyzed. Considering the difference between these trials and traditional test in towing
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a683f4b3960443a19cc20776128675d0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Optics & Laser Technology. 156:108574
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::536ef33ed5f68df8a77d2172c5788e3f
https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2022.108574
https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2022.108574
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid State Communications. 132:701-705
Polarization effects in AlGaN/GaN heterojunction are simulated based on a traditional semiconductor device simulator. A delta doping layer is purposely inserted at the interface of the heterojunction in the simulation, so the ionized donors or accept
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e677e2b192fd73c3b99d6e7de3faa511
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2004.09.009
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2004.09.009
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 19:789-791
Electroluminescence (EL) from AlInGaN-InGaN multiquantum-well violet light-emitting diodes is investigated as a function of forward bias. Two distinct regimes have been identified: 1) quantum-confined Stark effect at low and moderately high forward b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08bdad1d94a46207141e9224ca281b4f
https://doi.org/10.1109/lpt.2007.896575
https://doi.org/10.1109/lpt.2007.896575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.