Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"D.G. Clemons"'
Autor:
C.Y. Chen, M. S. Tsay, R. H. Krambeck, P. P. Thomas, A. K. Goksel, F.D. LaRocca, L.-P. Mai, D.G. Clemons
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 24:592-596
The design of a single chip (WE-32201) that includes both a content-addressable memory-based management unit and a large data/instruction cache is described. The chip belongs to AT&T's WE-32200 chip set and is fabricated using a 1 mu m twin tub CMOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1bfa39a6fde3ea6f314a7f6a1bc0be8
https://doi.org/10.1109/4.32012
https://doi.org/10.1109/4.32012
Autor:
S.D. Steenwyk, L.C. Alchesky, D.A. Longfellow, J.C. Desko, R.A. Kohler, R.A. Kushner, R. Flores, C.A. Benevit, K.H. Lee, R.H. Arnold, D.G. Clemons
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 35:1667-1669
Describes a 256 K*1 radiation-hard SRAM and the process enhancements that resulted in its successful fabrication, and present total-dose-exposure results. Typical measured performance values include an address-activated access time of 36 ns and a wri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c3777ad954870ad01d6c564646ed2e6
https://doi.org/10.1109/23.25518
https://doi.org/10.1109/23.25518
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rozov, Sergey M., Deineko, Elena V.
Publikováno v:
Plants (2223-7747); Oct2022, Vol. 11 Issue 19, p2561, 24p