Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"D.F. Guo"'
Publikováno v:
Applied Surface Science. 604:154646
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b205d95abc5d4d06d4352917e24befc
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154646
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154646
Publikováno v:
Materials Letters. 326:132982
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1765a49605c605077515f236ba7977db
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132982
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132982
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D.F. Guo, Xiaoliu Li, Lidong Xu, X.Y. Zhang, B. T. Liu, J. X. Guo, Fengqing Wang, Jincan Zhao
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 508:512-515
Identifying the role of interfaces in nanostructured materials on their phase transitions is of quite interest for microstructure manipulations. In the present study, we demonstrate that the increase of nanocrystal interfaces in as-deposited FePt thi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0bfa71e00d23a2044e8404658135dc0a
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.08.106
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.08.106
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1733-1736
The characteristic of nanoporous SiO2 thin film prepared by sol-gel method with catalyst HF was studied by scanning electron microscopy, Fourier transform infrared, HP analyzer series and ellipsometry. Results showed the incorporation of HF effective
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::266beac3945efaec457d6aafb328b29f
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1733
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1733
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
TRANSDUCERS 2007 - 2007 International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference.
An interesting Pd-GaAs high electron mobility transistor (HEMT) hydrogen sensor is fabricated and studied. For the studied device, a 5 nm-thick undoped GaAs cap layer is grown to suppress the oxidation of the underneath AlGaAs layer. Comprehensive an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2d2d3b25044649eeeb8adae28ebcd5f
https://doi.org/10.1109/sensor.2007.4300565
https://doi.org/10.1109/sensor.2007.4300565