Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"D.E. Kardes"'
Publikováno v:
Proceedings of the Fourteenth Biennial University/Government/Industry Microelectronics Symposium (Cat. No.01CH37197).
P was diffused into p-type Si wafers containing B at 1100/spl deg/C for six different times using a solid state source and a standard pre-deposition process. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) provided profiles of dopant concentration versus wafe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::506d313ecf0152f26a81dd0e488775a0
https://doi.org/10.1109/ugim.2001.960293
https://doi.org/10.1109/ugim.2001.960293
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.