Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"D.E. Fisch"'
Autor:
T. R. Oldham, D.E. Fisch, J.M. McGarrity, M. Brassington, J. M. Benedetto, C.W. Tipton, W.M. De Lancey
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 38:1410-1414
Ferroelectric (FE) on complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) 4-bit nonvolatile memories, 8-bit octal latches (with and without FE), and process control test chips were used to establish a baseline characterization of the radiation response of
Publikováno v:
28th International Reliability Physics Symposium.
The effects of temperature, electric field, and the number of polarization reversals on ferroelectric memory aging are analyzed on ferroelectric capacitors and memory products. The signal loss proceeds linearly with the log of time. A relationship be
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.