Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"D.E. Bockelman"'
Autor:
Howard C. Kirsch, R.C. Taft, D.E. Bockelman, D. Denning, N. Camilleri, Craig S. Lage, Jung-Hui Lin, F.B. Shapiro, James D. Hayden
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 42:1277-1286
We present the process development and device characterization of the Selectively Compensated Collector (SCC) BJT specifically designed for high-density deep-submicrometer BiCMOS SRAM technologies. This double-poly BJT takes advantage of the self-ali
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::370335be37c8a2010e2defbaef3f52cc
https://doi.org/10.1109/16.391210
https://doi.org/10.1109/16.391210
Autor:
D.E. Bockelman, W.R. Eisenstadr
Publikováno v:
IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 9:25-27
Integrated circuit pad-to-pad crosstalk characterization structures were fabricated and measured over a 8000 /spl mu/m/spl times/2500 /spl mu/m area using Al pads on a silicon substrate. The structures were tested by a pure-mode network analyzer to y
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::432bdd88df489af40455aba03e244259
https://doi.org/10.1109/75.752113
https://doi.org/10.1109/75.752113
Publikováno v:
Proceedings of 1994 VLSI Technology Symposium.
This paper presented the bipolar RF and circuit characterization of a high-performance 0.35 /spl mu/m BICMOS technology specifically designed for fast SRAMs. A 900 MHz noise figure as low as 0.54 dB at 0.5 mA, prescaler operation up to 3.3 GHz for a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f61a9af84f04e6b752fae3ed6701de73
https://doi.org/10.1109/vlsit.1994.324407
https://doi.org/10.1109/vlsit.1994.324407
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.