Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"D.E. Barnhardt"'
Publikováno v:
Applied Surface Science. 255:6535-6539
The spatial origins of emissions from homoepitaxial 4H-SiC( 1 1 2 ¯ 0 ) films have been investigated by cathodoluminescence, secondary ion mass spectrometry, and electron trajectory simulations. At 15 keV (300 K), the spectrum contained three peaks.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9be9b43ab4f136213e30494cd16ca4ce
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.02.036
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.02.036
Autor:
Robert F. Davis, Minseo Park, S.M. Bishop, Y. Uprety, D.E. Barnhardt, J.C. Molstad, C. L. Reynolds, Tangali S. Sudarshan, A. Shrivastava, D. Wang, Zuzanna Liliental-Weber, J. Zhu
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 36:285-296
The polytype and surface and defect microstructure of epitaxial layers grown on 4H( $$ {\hbox{11}}\overline{{\hbox{2}}} {\hbox{0}} $$ ), 4H(0001) on-axis, 4H(0001) 8° off-axis, and 6H(0001) on-axis substrates have been investigated. High-resolution
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbf18e07cf9c3a0e5f87582980548e16
https://doi.org/10.1007/s11664-006-0076-2
https://doi.org/10.1007/s11664-006-0076-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.