Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"D.A. Longfellow"'
Autor:
D.A. Longfellow, A. Allan
Publikováno v:
Thirteenth IEEE/CHMT International Electronics Manufacturing Technology Symposium.
The objective of this study was to model the maximum factory costs that could be borne byfuture generations of semiconductor technologies, and to determine the sensitivity of those projections to changes in the model's major assumptions. The modeling
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6108343e03e4fa806db6c9c9c8787938
https://doi.org/10.1109/iemt.1992.639916
https://doi.org/10.1109/iemt.1992.639916
Autor:
S.D. Steenwyk, L.C. Alchesky, D.A. Longfellow, J.C. Desko, R.A. Kohler, R.A. Kushner, R. Flores, C.A. Benevit, K.H. Lee, R.H. Arnold, D.G. Clemons
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 35:1667-1669
Describes a 256 K*1 radiation-hard SRAM and the process enhancements that resulted in its successful fabrication, and present total-dose-exposure results. Typical measured performance values include an address-activated access time of 36 ns and a wri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c3777ad954870ad01d6c564646ed2e6
https://doi.org/10.1109/23.25518
https://doi.org/10.1109/23.25518
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.