Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"D.A. Koyuda"'
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 21, Iss , Pp 103778- (2021)
First-principles calculations of the electronic structure of crystalline silicon and its dioxide were performed on the basis of the density functional theory. The full-potential linearized augmented plane waves method was used with the generalized gr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5aba5f30b81348fcab85c5811e0157e1
Autor:
E.V. Parinova, A.K. Pisliaruk, A. Schleusener, D.A. Koyuda, R.G. Chumakov, A.M. Lebedev, R. Ovsyannikov, A. Makarova, D. Smirnov, V. Sivakov, S.Yu. Turishchev
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 19, Iss , Pp 103332- (2020)
The combined X-ray absorption and emission spectroscopy approach was applied for the detailed electronic structure and composition studies of silicon nanoparticles produced by the ultrasound milling of heavily and lowly doped Si nanowires formed by m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fb2d9ae5fba24867ab194984e538a9e4
Autor:
S.Yu. Turishchev, D. Marchenko, V. Sivakov, E.A. Belikov, O.A. Chuvenkova, E.V. Parinova, D.A. Koyuda, R.G. Chumakov, A.M. Lebedev, T.V. Kulikova, A.A. Berezhnoy, I.V. Valiakhmedova, N.V. Praslova, E.V. Preobrazhenskaya, S.S. Antipov
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 16, Iss , Pp 102821- (2020)
The novel approach was proposed for detailed high-resolution studies of morphology and physico-chemical properties concomitantly at one measurement spot of E. coli bacterial cells culture immobilized onto silicon wafer surface in UHV conditions apply
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cf929ef95d5a410b84594c6723978ef0
Autor:
S.Yu. Turishchev, O.A. Chuvenkova, E.V. Parinova, D.A. Koyuda, R.G. Chumakov, M. Presselt, A. Schleusener, V. Sivakov
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 11, Iss , Pp 507-509 (2018)
Tin oxide thin layers were grown by metal-organic chemical vapor deposition technique on the top-down nanostructured silicon nanowires array obtained by metal-assisted wet-chemical technique from single crystalline silicon wafers. The composition of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1a1b96aa98d2480a9bba4a66633e72e3
Autor:
S.Yu. Turishchev, E.V. Parinova, D.N. Nesterov, D.A. Koyuda, V. Sivakov, A. Schleusener, V.A. Terekhov
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 9, Iss , Pp 1494-1496 (2018)
Morphology of the top-down grown silicon nanowires obtained by metal-assisted wet-chemical approach on silicon substrates with different resistance were studied by scanning electron microscopy. Obtained arrays of compact grown Si nanowires were a sub
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc78dd96f8b546eea0e6242395f6c3cb
Autor:
E.V. Parinova, S.S. Antipov, E.A. Belikov, O.A. Chuvenkova, I.S. Kakuliia, D.A. Koyuda, S. Yu. Trebunskikh, M.S. Skorobogatov, R.G. Chumakov, A.M. Lebedev, A.A. Sinelnikov, V.G. Artyukhov, O.V. Ovchinnikov, M.S. Smirnov, S. Yu. Turishchev
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы. 24:265-272
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::34a031abf4707515cb51a418a8cb1031
https://doi.org/10.17308/kcmf.2022.24/9267
https://doi.org/10.17308/kcmf.2022.24/9267
Autor:
D.A. Koyuda, S.S. Titova, U.A. Tsurikova, I.S. Kakuliia, E.V. Parinova, O.A. Chuvenkova, R.G. Chumakov, A.M. Lebedev, S.V. Kannykin, L.A. Osminkina, S.Yu. Turishchev
Publikováno v:
Materials Letters. 312:131608
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf34f0e5cc6e1658e9115b0ca3678203
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.131608
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.131608
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.