Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"D.-H. Ju"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Prenatal Diagnosis. 30:734-738
Objective We investigated the usefulness of shortening of the fetal femur length (FL) to predict Down syndrome at different gestational ages in Korean subjects. Methods This study involved 110 Korean Down syndrome fetuses and 602 randomly selected eu
Autor:
Jin-Hong Park, Jaejoon Lee, D. H. Ju, Yong Soo Kim, Dong-Hyuk Choi, H.J. Park, H.S. Jang, J.I. Choi, Jeong Hoon Lee, Daeil Kim
Publikováno v:
Applied Surface Science. 254:1524-1527
Transparent and conducting ITO/Au/ITO multilayered films were deposited without intentional substrate heating on polycarbonate (PC) substrate using a magnetron sputtering process. The thickness of ITO, Au and ITO metal films in the multilayered struc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Prenatal diagnosis. 30(8)
We investigated the usefulness of shortening of the fetal femur length (FL) to predict Down syndrome at different gestational ages in Korean subjects.This study involved 110 Korean Down syndrome fetuses and 602 randomly selected euploid controls. The
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1997 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (Cat. No.97TH8319).
This paper investigate the impact of CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) gate microstructure on the reliability and performance of deep-submicrometer CMOS transistors. The amorphous silicon (/spl alpha/-Si) gate provides better capability
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 14:289-291
Electrical and reliability characteristics of diagonally shaped n-channel MOSFETs have been extensively investigated. Compared with the conventional device structure, diagonal MOSFETs show longer device lifetime under peak I/sub sub/ condition (V/sub
Publikováno v:
International Journal of Gynecology & Obstetrics. 119:S602-S602
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials.