Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"D. W. Nam"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. E. Plano, Louis J. Guido, D. W. Nam, A. R. Sugg, Nick Holonyak, G. E. Stillman, J. S. Major, K. C. Hsieh, E. J. Vesely, Brian T. Cunningham
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 67:2179-2182
Impurity‐induced layer disordering experiments on AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructures (QWHs) that are doped heavily with carbon are described. The data show that carbon doping retards Al‐Ga interdiffusion relative to an undoped crys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7968d40708186e23ab6e09cd38c03c0
https://doi.org/10.1063/1.345560
https://doi.org/10.1063/1.345560
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry. 94:1082-1087
Data are presented showing the basic difference in the stimulated emission spectrum of a photopumped Al{sub x}Ga{sub 1-x}As-GaAs or Al{sub y}Ga{sub 1-y}As-GaAs-In{sub x}Ga{sub 1-x} As quantum well heterostructure (QWH) heat sunk in a high-Q versus a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e4bf6f6f3388de5cabb7f8af02f4e92
https://doi.org/10.1021/j100366a011
https://doi.org/10.1021/j100366a011
Autor:
D. W. W. NamStutius, Kathleen Meehan, Daria Hall, J. E. Baker, Nick Holonyak, Louis J. Guido, P. Gavrilovic, D. J. C. E. Hall Williams, J. S. Major, D. W. Nam, K. C. Hsieh, E. J. Vesely
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 19:59-66
In these experiments impurity-induced layer disordering (IILD) utilizing chemical reduction of SiO2 by Al (from Al0.8Ga0.2As) is employed to generate Si and O to effect layer disordering. The SiO2-Al0.8Ga0.2As reaction is studied with respect to anne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e491a99d34d7ed7ad111c1321201c6f
https://doi.org/10.1007/bf02655552
https://doi.org/10.1007/bf02655552
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 57:46-48
Data are presented showing that photopumped AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructures (QWHs) are capable of stimulated emission (because of the large confined phonon population) one and two longitudinal optical (LO) phonons below the lowest c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a456c3b7343f5901ff18cdfc74d9a6cc
https://doi.org/10.1063/1.103573
https://doi.org/10.1063/1.103573