Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"D. Varadarajan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
INSTRUMENTATION ENGINEERING, ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS – 2021 (IEET-2021): Proceedings of the VII International Forum.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kenneth J. Balkus, M. Hmyene, Scott J. Riley, John P. Ferraris, L. Li, D. Varadarajan, Inga H. Musselman, L. Washmon
Publikováno v:
Journal of Membrane Science. 152:1-18
Solution cast membranes of poly(3-dodecylthiophene) (PDDT) were studied for the room temperature separation of N 2 , O 2 , and CO 2 . A procedure for fabricating reproducible, smooth, uniformly thick (∼35 μm), defect-free membranes is described. P
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers (Cat. No.02CH37315).
A method for reducing the effects of random mismatches in CMOS bandgap references reduces effects of CMOS current-mirror offsets and input-referred offsets of CMOS opamps. The circuit is fabricated in a 0.18 /spl mu/m CMOS process. Measured 3 sigma o