Zobrazeno 1 - 10
of 254
pro vyhledávání: '"D. Troadec"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W Khelifi, C Coinon, M Berthe, D Troadec, G Patriarche, X Wallart, B Grandidier, L Desplanque
Publikováno v:
Nanotechnology
Nanotechnology, 2023, 34 (26), pp.265704. ⟨10.1088/1361-6528/acc810⟩
Nanotechnology, 2023, 34 (26), pp.265704. ⟨10.1088/1361-6528/acc810⟩
The nanoscale intrinsic electrical properties of in-plane InAs nanowires grown by selective area epitaxy are investigated using a process-free method involving a multi-probe scanning tunneling microscope. The resistance of oxide-free InAs nanowires g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aa71f53b2bfd08fdf5db6f28f966edfb
https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc810
https://doi.org/10.1088/1361-6528/acc810
Autor:
V. Mortet, A. Taylor, M. Davydova, M. Lamač, N. Lambert, I. Elantyev, J. Lorinčík, D. Troadec, M. Vronka, S. Potocký
Publikováno v:
Diamond and Related Materials
Diamond and Related Materials, 2022, 124, pp.108928. ⟨10.1016/j.diamond.2022.108928⟩
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2022, 124, pp.108928. ⟨10.1016/j.diamond.2022.108928⟩
Diamond and Related Materials, 2022, 124, pp.108928. ⟨10.1016/j.diamond.2022.108928⟩
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2022, 124, pp.108928. ⟨10.1016/j.diamond.2022.108928⟩
International audience; The synthesis of n-type phosphorus-doped diamond is essential for the development of diamond-based bipolar devices. Although demonstrated 20 years ago, it remains a complex problem due to low incorporation efficiency and low m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::95a7cd22efb954208b8c194d122d6c84
https://hal.science/hal-03672609
https://hal.science/hal-03672609
