Zobrazeno 1 - 10
of 579
pro vyhledávání: '"D. Triyoso"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kandabara Tapily, Robert D. Clark, Steven Consiglio, H Niimi, D. Triyoso, Cory S. Wajda, Gert J. Leusink
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :889-889
The relentless downscaling of the semiconductor device feature sizes has resulted in tremendous technological advances such as mobile/portable electronics, internet of things (IOT) just to name a few. New device engineering and dielectric materials w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f9c92728da63cf9a71d4f523ef1fd35
https://doi.org/10.1149/ma2019-02/13/889
https://doi.org/10.1149/ma2019-02/13/889
Autor:
Y. Yang, Peter Fejes, Bich-Yen Nguyen, Mikko Ritala, D. Triyoso, Susanne Stemmer, Philip J. Tobin, Kaupo Kukli, Markku Leskelä, A. Navrotsky, Sergey V. Ushakov, C. Wang, Alexander A. Demkov
Publikováno v:
physica status solidi (b). 241:2268-2278
Crystallization of hafnia and zirconia and their alloys with silica and lanthana was studied in bulk and thin film samples by thermal analysis, X-ray diffraction and electron microscopy. Crystallization temperatures of hafnia and zirconia increase by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b164975fc86112bdedd152147df70380
https://doi.org/10.1002/pssb.200404935
https://doi.org/10.1002/pssb.200404935
Autor:
David C. Gilmer, R. Garcia, William J. Taylor, Rama I. Hegde, Raghaw S. Rai, J. M. Grant, Hsing-Huang Tseng, Christopher C. Hobbs, V. Dhandapani, Bruce E. White, S.G.H. Anderson, A. Knizhnik, Philip J. Tobin, S. Samavedam, D. Triyoso, E. A. Hebert, M.L. Lovejoy, D. Roan, L. R. C. Fonseca, L. Dip
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 51:978-984
We report here that Fermi pinning at the polysilicon/metal-oxide interface causes high threshold voltages in MOSFET devices. In Part I, we investigated the different gatestack regions and determined that the polysilicon/metal oxide interface plays a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::04255d38837b6f5b3ccad799807525cc
https://doi.org/10.1109/ted.2004.829510
https://doi.org/10.1109/ted.2004.829510
Autor:
Srikanth B. Samavedam, James Nelson Smith, Philip J. Tobin, H.-H. Tseng, D. Triyoso, R. Cotton, Raghaw S. Rai, R. Garcia, Christopher C. Hobbs, B. Taylor, Rama I. Hegde, L.B. La, V. Dhandapani, L. Dip, D. Roan, L. Prabhu, A. Franke, David C. Gilmer, J. M. Grant
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 69:138-144
Silicon gate compatibility problems with hafnium-basd gate dielectrics are reported. It generally can be stated that chemical vapor deposition (CVD) silicon gates using silane deposited directly onto polycrystalline HfO2 at conventional temperatures
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1d4898c6932f300f9ca0a585c13db50
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00290-9
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00290-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Laviron, S. Couderc, P. Perreau, Pascal Gouraud, M. Raymond, A. Zauner, Pierre Morin, D. Triyoso, Philippe Garnier, S. Zoll, D. Fleury, M. Muller, M. Aminpur, K. Romanjek, F. Salvetti, Simone Pokrant, S. Jullian, Sébastien Barnola, C. Hobbs, E. Luckowski, A. Cathignol, T. Salvetat, Mustapha Rafik, Sandrine Lhostis, G. Ribes
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66941b7d64d80976ade4ef42e02e0f44
https://doi.org/10.7567/ssdm.2007.a-8-4
https://doi.org/10.7567/ssdm.2007.a-8-4
Autor:
Michael A. Sadd, W.J. Taylor, C. Capasso, Matthew W. Stoker, S. Kalpat, James K. Schaeffer, D. Triyoso, D. Roan, A. Haggag, S. B. Samavedam, David C. Gilmer, Rama I. Hegde, B. E. White
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37805312ce68a22f7a3cf5700995ae2c
https://doi.org/10.7567/ssdm.2007.a-1-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2007.a-1-1
Autor:
Rama I. Hegde, D. Triyoso, E. A. Hebert, S. B. Samavedam, James K. Schaeffer, S. Kalpat, M. Raymond, D. Roan, J. Jiang, David C. Gilmer, L.B. La, Rich Gregory, C. Capasso, X-D. Wang, B. E. White, T. Y. Luo, Raghaw S. Rai, E. Luckowski, J.-Y. Nguyen
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1743bc1eba17f61a70d8da0209b5a3b1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.j-7-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.j-7-1