Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"D. Tobben"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. Tobben, G.Y. Lee, Roy C. Iggulden, Stefan J. Weber, Maria Ronay, Jeff Gambino, Zhijian Lu, R.F. Schnabel, Clevenger Leigh Anne H, Gregory Costrini, R. Ramachandran, X.J. Ning, R. G. Filippi, Chenting Lin, David M. Dobuzinsky
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 50:265-270
This paper presents an overview of issues associated with Al dual damascene process technology. Different integration schemes are discussed and characteristics of metal fill, planarization and reliability are highlighted. Finally, a comparison is mad
Autor:
Anthony K. Stamper, R. A. Conti, Donna R. Cote, Son V. Nguyen, D. S. Armbrust, D. Tobben, G. Y. Lee
Publikováno v:
IBM Journal of Research and Development. 43:5-38
Plasma-assisted deposition of thin films is widely used in microelectronic circuit manufacturing. Materials deposited include conductors such as tungsten, copper, aluminum, transition-metal silicides, and refractory metals, semiconductors such as gal
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 7:260-266
n-type modulation-doped Si/SiGe heterostructures were grown on different types of partly relaxed SiGe buffer layers, which are required in this material system to obtain a large enough conduction band offset. The samples were characterized by seconda
Autor:
T. Rupp, N. Chaudhary, K. Dev, Y. Fukuzaki, J. Gambino, H. Ho, J. Iba, E. Ito, E. Kiewra, B. Kim, M. Maldei, T. Matsunaga, J. Ning, R. Rengarajan, A. Sudo, Y. Takagawa, D. Tobben, M. Weybright, G.K. Worth, R. Divakaruni, R. Srinivasan, J. Alsmeier, G. Bronner
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
This report describes improvements in the trench DRAM technology for 0.15 /spl mu/m groundrule and beyond. The optimum cell layout is 8F/sup 2/ with a cell area of only 0.18 /spl mu/m/sup 2/ for a 0.15 /spl mu/m groundrule. High node capacitance and
Autor:
Stefan J. Weber, L. Yang, G.Z. Lu, R.F. Schnabel, D. Tobben, Chenting Lin, J. L. Hurd, Sunny Chiang, R. Filippi, J. Ning, Kenneth P. Rodbell, T. Gou, R. Longo, M. Ronay, Roderick C. Mosely, L. Gignac, Mark Hoinkis, R. Ploessl, S. Voss, Clevenger Leigh Anne H, Jeffrey P. Gambino, Lian-Yuh Chen, G. Costrini, D.M. Dobuzinsky, J.F. Nuetzel, R. C. Iggulden
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102).
As VLSI back end of line (BEOL) wiring is scaled to 0.175 /spl mu/m dimensions and sub-0.5 /spl mu/m pitches, the challenges to conventional Al RIE BEOL processes are the etching and the reliability of tall/narrow Al lines and the oxide gap fill and
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Z. Wei, Z. G. Song, Y. B. Yang, S. Q. Liu, H. L. Du, J. Z. Han, D. Zhou, C. S. Wang, Y. C. Yang, A. Franz, D. Többens, J. B. Yang
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 12, Pp 127113-127113-11 (2014)
In this paper, high purity τ-Mn54Al46 and Mn54−xAl46Cxalloys were successfully prepared using conventional arc-melting, melt-spinning, and heat treatment process. The magnetic and the structural properties were examined using x-ray diffraction (XR
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8590f7fad63942ad902bfa83c18e4897
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.