Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"D. Talbourdet"'
Autor:
L. Escotte, Guy Perez, Philippe Perdu, A. Crosson, L. Crétinon, D. Talbourdet, Marise Bafleur
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 47:1590-1594
We present in this study the effect of electrical ageing on silicon (Si) NPN bipolar transistors. This study is based on a sample of half-hundred components, which have been fabricated in the early 1980s, which represents an exceptional experience fe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::519f19f0cda280c6f171cd889fc2ca59
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2007.07.057
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2007.07.057
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.