Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"D. Stoppel"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
CIRP Journal of Manufacturing Science and Technology. 35:795-802
Data-based methods are capable to monitor machine components. Approaches for semi-supervised anomaly detection are trained using sensor data that describe the normal state of machine components. Thus, such approaches are interesting for industrial pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e77375767be46e12f3e06686681af1ee
https://doi.org/10.1016/j.cirpj.2021.09.003
https://doi.org/10.1016/j.cirpj.2021.09.003
Publikováno v:
Microwave and Optical Technology Letters. 62:2513-2517
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbcab94bddb4e767e81e20f94fb62b4e
https://doi.org/10.1002/mop.32357
https://doi.org/10.1002/mop.32357
Autor:
Sebastian Boppel, Viktor Krozer, Ina Ostermay, Ksenia Nosaeva, Colombo R. Bolognesi, M. Matalla, Nicole Volkmer, Olivier Ostinelli, Tom K. Johansen, M. Brahem, Nils Weimann, D. Stoppel
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 65:3704-3710
We report on the realization mymargin of transferred-substrate InP/GaAsSb double heterostructure bipolar transistors in a terahertz monolithic integrated circuit process. Transistors with 0.4- $\mu \text{m}$ -wide single emitters reached unilateral g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50a1e433a23c8bffa5d3e5f920c32247
https://doi.org/10.1109/ted.2018.2854546
https://doi.org/10.1109/ted.2018.2854546
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sirinpa Monayakul, Michael Hrobak, Ralf Doerner, S. Sinha, Olaf Krüger, Nils Weimann, Viktor Krozer, B. Janke, Wilfred John, D. Stoppel, F.J. Schmuckle, Wolfgang Heinrich
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 7:494-501
We developed a chip mounting technology suitable for low-cost assemblies in the 300–500-GHz frequency range, compatible with standard chip and submount fabrication techniques. The waveguide and transition designs are compatible with indium phosphid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::49ffcded72ab0a4bd3a4ed5b2a8344d3
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2016.2636444
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2016.2636444
Autor:
D. Stoppel, T. Shivan, Nils Weimann, Viktor Krozer, Colombo R. Bolognesi, Ralf Doerner, Wolfgang Heinrich, Sebastian Boppel, Maruf Hossain, Olivier Ostinelli
Publikováno v:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 28:1029-1031
This letter presents a 1 to >110-GHz ultrawideband traveling-wave amplifier (TWA) based on 500-nm transferred-substrate InP double-heterojunction bipolar transistor technology. The HBT cells are realized with inductive peaking at the output and match
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::06f36601819a82b6c3f14609784082fc
https://doi.org/10.1109/lmwc.2018.2871336
https://doi.org/10.1109/lmwc.2018.2871336
Publikováno v:
2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS.
This paper presents an active W-band up-converting double-balanced Gilbert mixer realized in 800 nm transferred substrate (TS) InP-DHBT technology. It consists of an active balun and a frequency doubler followed by a double-balanced Gilbert cell mixe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3560c0870d7f7e8860910ebc0fb73480
https://doi.org/10.1109/mwsym.2018.8439440
https://doi.org/10.1109/mwsym.2018.8439440
Autor:
Wolfgang Heinrich, Nils Weimann, Colombo R. Bolognesi, Tom K. Johansen, Viktor Krozer, Olivier Ostinelli, Maruf Hossain, S. Schulz, T. Shivan, D. Stoppel, Ralf Doerner
Publikováno v:
2018 11th German Microwave Conference (GeMiC).
This paper presents a DC-95 GHz distributed amplifier (DA) based on an InP/GaAsSb/InP 800 nm DHBT technology. The circuit employs five cascode unit cells with 0.8 µm × 6 µm HBTs. To obtain flat small-signal gain and group delay characteristics, in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aa02688acc5a7e8d9b0d220efa8d3170
https://doi.org/10.23919/gemic.2018.8335017
https://doi.org/10.23919/gemic.2018.8335017