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pro vyhledávání: '"D. Stiévenard"'
Autor:
Bin, Wei, Zhenyu, Tang, Shuanglong, Wang, Cunping, Qin, Chunya, Li, Xingwei, Ding, Yulai, Gao, X, Portier, F, Gourbilleau, D, Stiévenard, Tao, Xu
Publikováno v:
Nanotechnology. 29(39)
In this work, an atomic layer deposited (ALD) Al
Autor:
O Ibrahim, Elmi, O, Cristini-Robbe, M Y, Chen, B, Wei, R, Bernard, D, Yarekha, E, Okada, S, Ouendi, X, Portier, F, Gourbilleau, T, Xu, D, Stiévenard
Publikováno v:
Nanotechnology. 29(28)
This paper describes an original design leading to the field effect passivation of Si n
Akademický článek
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Autor:
D H K Murthy, T Xu, W H Chen, A J Houtepen, T J Savenije, L D A Siebbeles, J P Nys, C Krzeminski, B Grandidier, D Stiévenard, P Pareige, F Jomard, G Patriarche, O I Lebedev
Publikováno v:
Nanotechnology
Nanotechnology, 2011, 22 (31), pp.315710. ⟨10.1088/0957-4484/22/31/315710⟩
Nanotechnology, Institute of Physics, 2011, 22, pp.315710-1-6. ⟨10.1088/0957-4484/22/31/315710⟩
Nanotechnology, Institute of Physics, 2011, 22 (31), pp.315710. ⟨10.1088/0957-4484/22/31/315710⟩
Nanotechnology, 2011, 22 (31), pp.315710. ⟨10.1088/0957-4484/22/31/315710⟩
Nanotechnology, Institute of Physics, 2011, 22, pp.315710-1-6. ⟨10.1088/0957-4484/22/31/315710⟩
Nanotechnology, Institute of Physics, 2011, 22 (31), pp.315710. ⟨10.1088/0957-4484/22/31/315710⟩
6pp; International audience; From electrodeless time-resolved microwave conductivity measurements, the efficiency of charge carrier generation, their mobility, and decay kinetics on photo-excitation were studied in arrays of Si nanowires grown by the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::13063ec8743c156083d7f1683e3a46c3
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 22:143-146
We propose an improved theory of the spin dependent recombination at defects in p-n junctions. This theory accounts for the experimental observations on the P b center at the Si-SiO 2 interface.
Autor:
Behboudikhiavi S; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Chanteux G; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Babu B; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Faniel S; Institute for Information and Communication Technologies, Electronics and Applied Mathematics, Université catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Marlec F; Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies, Université de Lille, CNRS, Université Polytechnique Hauts-de-France, UMR 8520 - IEMN, Lille, 59000, France.; Réseau sur le Stockage Electrochimique de l'Energie (RS2E), CNRS FR 3459, 33 rue Saint Leu, Amiens, Cedex, 80039, France., Robert K; Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies, Université de Lille, CNRS, Université Polytechnique Hauts-de-France, UMR 8520 - IEMN, Lille, 59000, France.; Réseau sur le Stockage Electrochimique de l'Energie (RS2E), CNRS FR 3459, 33 rue Saint Leu, Amiens, Cedex, 80039, France., Magnin D; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Lucaccioni F; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Omale JO; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Apostol P; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Piraux L; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium., Lethien C; Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies, Université de Lille, CNRS, Université Polytechnique Hauts-de-France, UMR 8520 - IEMN, Lille, 59000, France.; Réseau sur le Stockage Electrochimique de l'Energie (RS2E), CNRS FR 3459, 33 rue Saint Leu, Amiens, Cedex, 80039, France.; Institut Universitaire de France (IUF), Saint-Michel 103, Paris, 75005, France., Vlad A; Institute of Condensed Matter and Nanosciences, Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, 1348, Belgium.
Publikováno v:
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany) [Small] 2024 Sep; Vol. 20 (36), pp. e2401509. Date of Electronic Publication: 2024 May 02.
Autor:
D. Stiévenard
Publikováno v:
Stress and strain in epitaxy
HANDBUCKEN M., DELVILLE J.P. Stress and strain in epitaxy, Elsevier, pp.243-286, 2001
HANDBUCKEN M., DELVILLE J.P. Stress and strain in epitaxy, Elsevier, pp.243-286, 2001
Publisher Summary The chapter shows the application of scanning tunneling microscope (STM) spectroscopy on semiconductors that helps to get local spectroscopic information on defects, low-dimensional nanostructures, or organic molecules. STM is one o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e1757d57830bc9bd0432036451358952
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00132068
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Publikováno v:
Europhysics Letters; Mar2004, Vol. 65 Issue 6, p809-815, 7p
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