Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"D. Stepkova"'
Publikováno v:
1995 International Semiconductor Conference. CAS '95 Proceedings.
The results of a study carried out on N-type silicon diffused with palladium using DLTS method are reported. In the case of diffusion temperature 860/spl deg/C, diffusion time influence the deep levels related to Pd-induced defects. In the case of sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8b79a522c35ed4522ad4b7c576c198a8
https://doi.org/10.1109/smicnd.1995.494888
https://doi.org/10.1109/smicnd.1995.494888
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1995 International Semiconductor Conference CAS '95 Proceedings; 1990, pI-I, 1p
Autor:
Cor Claeys, Eddy Simoen
This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental propertie
