Zobrazeno 1 - 10 of 104 pro vyhledávání: '"D. Shamiryan"'
5
Experimental and Theoretical Studies of Radical Production in RF CCP Discharge at 81-MHz Frequency in $\hbox{Ar/CF}_{4}$ and $\hbox{Ar/CHF}_{3}$ Mixtures
Autor: Olga Proshina, A.S. Kovalev, A. T. Rakhimov, D. V. Lopaev, Tatyana Rakhimova, O.V. Braginsky, Anna Vasilieva, D. Shamiryan, D. G. Voloshin, K.S. Klopovskiy
Publikováno v: IEEE Transactions on Plasma Science. 37:1683-1696
In this paper, the experimental and theoretical studies of RF capacitive-coupled-plasma (CCP) discharge at frequency of 81 MHz in Ar/CF4 and Ar/CHF3 mixtures were carried out. The density distributions of CF2, F, and H radicals in the interelectrode
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::356b1b552e444fc6522de971a137bbc5
https://doi.org/10.1109/tps.2009.2023849
Zobrazit plný text záznamu
6
High Performance 70-nm Germanium pMOSFETs With Boron LDD Implants
Autor: G. Hellings, J. Mitard, G. Eneman, B. De Jaeger, D.P. Brunco, D. Shamiryan, T. Vandeweyer, M. Meuris, M.M. Heyns, K. De Meyer
Publikováno v: IEEE Electron Device Letters. 30:88-90
Ge pMOSFETs with gate lengths down to 70 nm are fabricated in a Si-like process flow. Reducing the LDD junction depth from 24 to 21 nm effectively reduces short-channel effects. In addition, a reduced source/drain series resistance is obtained using
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e94d42cbc942b38b7bfbef787dfccf26
https://doi.org/10.1109/led.2008.2008824
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje