Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"D. Saias"'
Autor:
R. Rutenbar, C. Sodini, Jue-Hsien Chern, E. Naviasky, D. Saias, Shekhar Borkar, Robert W. Brodersen, Georges Gielen
Publikováno v:
DAC
This panel discusses the following topics. With the ongoing trend towards more and more digitization in applications ranging from multimedia to telecommunications, there is a big debate about whether there will remain a need for analog circuits in sc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0d069da0b23cbb0f7c26c58f4819544f
https://doi.org/10.1145/1146909.1147089
https://doi.org/10.1145/1146909.1147089
Publikováno v:
Proceedings. The 16th International Conference on Microelectronics, 2004. ICM 2004..
Part of the challenge, when issuing transceiver chips for the telecommunication market today, is not only to make a consistent choice between a set standards, but also to choose the adequate technology. Depending on the standards characteristics and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50d82b1006e84ab6c68974c419621126
https://doi.org/10.1109/icm.2004.1434222
https://doi.org/10.1109/icm.2004.1434222
Autor:
S. Boret, C. Billard, P. Berruyer, Guillaume Bouche, D. Saias, P.L. Charvet, N. Sillon, Pascal Ancey, Philippe Robert, C. Maeder-Pachurka
Publikováno v:
TRANSDUCERS '03. 12th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems. Digest of Technical Papers (Cat. No.03TH8664).
We have demonstrated the feasibility of a fully integrated RF microswitch. It is based on a combination of thermal actuation and electrostatic latching hold. This method enables to combine the advantages of both actuation modes : the low voltage powe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7c27230366b14ca5079962c093cdd39d
https://doi.org/10.1109/sensor.2003.1217115
https://doi.org/10.1109/sensor.2003.1217115
Publikováno v:
Proceedings 2002 Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::520d0505baa1d9dafe156c5db1886502
https://doi.org/10.1109/date.2002.998463
https://doi.org/10.1109/date.2002.998463
Publikováno v:
Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212).
The authors describe a 0.35 /spl mu/m SiGe BiCMOS RF to digital base band monochip for the DCS1800/GSM900 standard. Linked to this design, a substrate coupling study has been developed in order to prevent a noisy substrate under sensitive analog RF b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7908c5d0a472e1b72b467cec309cec61
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957863
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957863
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.