Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"D. S. Kuo"'
Publikováno v:
Journal of Display Technology. 10:27-32
The authors propose a simple method to enhance the performances of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) with rough surface. By using KOH to selectively smooth the area beneath the p-contact pad, it was found that we could reduce the forward voltage
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30cf7987a83cf75fdbc9b60a5f3e3ec7
https://doi.org/10.1109/jdt.2013.2278621
https://doi.org/10.1109/jdt.2013.2278621
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 2:349-353
The authors proposed a simple hot phosphoric etching method to enhance output power of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) by 34%. By immersing the sample in H3PO4 at 220°C for 40 min, it was found that debris contaminants induced by nanosecond l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::419ac21b378e6f9f65b5a12c32bcf8f3
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2011.2167972
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2011.2167972
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 10:728-732
Stacked chemical‐vapor‐deposition (CVD)‐thermal oxide, consisting of a CVD oxide deposited over a thin thermal oxide and followed by a post‐deposition anneal in oxygen, is proposed as a gate dielectric in trench technology. In contrast to the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a82ddb49a2612979f3c62ce07a7e4af
https://doi.org/10.1116/1.577717
https://doi.org/10.1116/1.577717
Autor:
W.S. Chen, J. Y. Chen, C. F. Shen, Shoou-Jinn Chang, C. S. Hsu, T. K. Ko, L. M. Chang, D. S. Kuo
Publikováno v:
Journal of Display Technology. :1-1
We propose a simple shifted laser stealth dicing (shifted-LSD) method to enhance output power of GaN-based blue light-emitting diodes (LEDs). Compared with the conventional method with only one nanosecond laser scribing from the front side, we perfor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::733d73e6b9b63dd461e025135b78f544
https://doi.org/10.1109/jdt.2015.2478598
https://doi.org/10.1109/jdt.2015.2478598
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d12d6259ea8e3449bf88017226492923
https://doi.org/10.7567/ssdm.2003.p10-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2003.p10-1
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4441273fb63d823a717e3b747d1c74d
https://doi.org/10.7567/ssdm.1999.c-12-4
https://doi.org/10.7567/ssdm.1999.c-12-4
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 25:055010
The authors propose a simple method to further improve light extraction efficiency of GaN-based phosphoric acid etched light-emitting diodes (LED) by forming a light guiding structure on a sapphire substrate. Compared with conventional LEDs, it was f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::170bbcc6ea75b59375e423c75dad6b9e
https://doi.org/10.1088/0268-1242/25/5/055010
https://doi.org/10.1088/0268-1242/25/5/055010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.