Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"D. Platteter"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 46:1616-1619
For the first time, enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) is reported in a vertical bipolar process. A radiation hardness assurance (RHA) test method was successfully demonstrated on a linear circuit, the HS139RH quad comparator, and its discret
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0027dcf263756a952717776419b5dea7
https://doi.org/10.1109/23.819129
https://doi.org/10.1109/23.819129
Autor:
Dragana Pavlovic, S.B. Bolte, M. Gwaltney, D. Thompson, M. Webster, R. Scarlata, J. Lanphere, Michael J. Martin, Daniel E. Viassolo, M. Enzien, M. Adiletta, Lingappa K. Mestha, K. Mihalyov, D. Platteter, B. Mara, L. Purvis, C.B. Duke
Publikováno v:
42nd IEEE International Conference on Decision and Control (IEEE Cat. No.03CH37475).
The integration of computing, imaging, marking and controls technology has created digital color printing and publishing systems: office and production, capable of printing documents consistently anywhere anytime. New functionalities in printing and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a30acef8654a30e8b51e5b9f62a93347
https://doi.org/10.1109/cdc.2003.1271793
https://doi.org/10.1109/cdc.2003.1271793
Publikováno v:
1999 Fifth European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems. RADECS 99 (Cat. No.99TH8471).
Four different types of commercial JFET input operational amplifiers were irradiated with ionizing radiation under a variety of test conditions. All experienced significant increases in input offset voltage (V/sub os/) for the worst-case irradiation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b36d73c01d2d30e8ddcab3ddf4ffcda
https://doi.org/10.1109/radecs.1999.858649
https://doi.org/10.1109/radecs.1999.858649
Autor:
D. Platteter
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 51:3137-3138
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b780260fae04dc8b9c5475025158aa89
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839502
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839502
Publikováno v:
2006 IEEE Radiation Effects Data Workshop; 2006, p160-164, 5p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 30:4216-4223
Total dose failure levels in digital bipolar microcircuits utilizing recessed oxides were measured at levels as low as 5 Krad(Si). Typical failure levels are in the 10-100 Krad(Si) range. Failure was found to be a strong function of irradiation bias
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b739d9209b8bdc1aecd532f95f360721
https://doi.org/10.1109/tns.1983.4333111
https://doi.org/10.1109/tns.1983.4333111
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.