Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"D. Nolet"'
Autor:
D. Nolet, R. W. Paynter
Publikováno v:
Surface and Interface Analysis. 35:960-967
In this study a silicon wafer was analysed by angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy and the data compared with a calculation based upon a simple model of the sample surface. The parameters in the mathematical model were varied in groups of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93e5e58d6401c6016f5cdda67b8b44b8
https://doi.org/10.1002/sia.1630
https://doi.org/10.1002/sia.1630
Autor:
R. W. Paynter, D. Nolet
Publikováno v:
Surface & Interface Analysis: SIA; Dec2003, Vol. 35 Issue 12, p960-967, 8p
Publikováno v:
MRS Proceedings. 131
Chemical Vapor Deposition (CVD) of thin films for microelectronic devices has historically used source materials that are gases at room temperature [1]. The decision to use gases was largely a practical one based on the relative ease with which the f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::798acee7d556829df9436a3132d55055
https://doi.org/10.1557/proc-131-319
https://doi.org/10.1557/proc-131-319
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.