Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"D. Murzalinov"'
Publikováno v:
Physical Sciences and Technology, Vol 5, Iss 3-4 (2019)
The paper shows the advantage of silicon nitride for use as a light-emitting element in integrated circuits. Along with this, the chosen methods for obtaining the studied samples enable us to determine all possible causes responsible for radiative re
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c40466aa6a7e4aa99f00fa8906e33035
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L.А. Vlasukova, А.V. Мudryi, Yu.А. Ryabikin, А.К. Dauletbekova, F.F. Коmarov, А.Т. Аkilbekov, Sh. Giniyatova, Irina N. Parkhomenko, D. Murzalinov
Publikováno v:
Bulletin of L.N. Gumilyov Eurasian National University. PHYSICS. ASTRONOMY Series. 122:68-74
Publikováno v:
Physical Sciences and Technology. 5:29-36
The paper shows the advantage of silicon nitride for use as a light-emitting element in integrated circuits. Alongwith this, the chosen methods for obtaining the studied samples enable us to determine all possible causesresponsible for radiative reco
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. F. Komarov, V. Zhivulko, Jerzy Żuk, L. Vlasukova, D. Murzalinov, O. Milchanin, P. Kopyciński, Irina N. Parkhomenko, M. A. Makhavikou, A. V. Mudryi
Publikováno v:
Thin Solid Films. 626:70-75
Si-rich (SiN 1.1 ) and N-rich (SiN 1.5 ) silicon nitride films were grown on the Si wafers by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Their composition and structure were investigated by Rutherford backscattering spectroscopy and transmission elec
Autor:
J. Parkhomenko, D. Murzalinov, P. Kopyciński, Paweł Żukowski, A. V. Mudryi, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin, Jerzy Żuk, V. Żhyvulka, F. F. Komarov
Publikováno v:
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY. 1:186-188
Autor:
D. Murzalinov, Y Ryabikin, A. V. Mudryi, L. A. Vlasukova, I. A. Romanov, Sh. Giniyatova, Alma Dauletbekova, F. F. Komarov, Irina N. Parkhomenko, Abdirash Akilbekov
Publikováno v:
Materials Research Express. 5:096414
Autor:
Abdirash Akilbekov, Alma Dauletbekova, M Makhavikov, L. Vlasukova, Maxim V. Zdorovets, D. Murzalinov
Publikováno v:
Materials Research Express. 5:035035
The effects of 200 MeV-Xe+ irradiation with fluencies of (109–1014) cm−2 on the phase-structural transformation of Si-rich SiNx film deposited on Si substrate by low-pressure chemical vapor deposition have been reported. It has been shown from Ra