Zobrazeno 1 - 10
of 70
pro vyhledávání: '"D. Lizzit"'
Autor:
M. Segatto, M. Massarotto, S. Lancaster, Q. T. Duong, A. Affanni, R. Fontanini, F. Driussi, D. Lizzit, T. Mikolajick, S. Slesazeck, D. Esseni
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e2a5c51ac9c5e8982f5ed516ed42833d
https://hdl.handle.net/11390/1237213
https://hdl.handle.net/11390/1237213
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 65:3646-3653
Tremendous improvements in the fabrication technology have allowed to scale the physical dimensions of the transistors and also to develop different promising 3-D architectures that may allow continuing Moore’s law. In this paper, we perform a comp
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.