Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"D. Larmagnac"'
Autor:
H. Graoui, C. Guedj, R. Gassilloud, Cédric Leroux, C.-M. V. Lu, S. Sharma, M.-P. Samson, T. Skotnicki, R. Kies, Perrine Batude, N. Rambal, Bernard Previtali, C. Fenouillet-Beranger, L. Brunet, A. Toffoli, Sebastien Kerdiles, Xavier Garros, D. Larmagnac, G. Romano, M. Vinet, N. Bernier
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7debe69b75310f0567b3b14bfc4c42fb
https://doi.org/10.7567/ssdm.2016.ps-1-06
https://doi.org/10.7567/ssdm.2016.ps-1-06
Autor:
Sebastien Hentz, Christophe Poulain, D. Muyard, D. Larmagnac, Carine Ladner, Sebastien Kerdiles, Thomas Ernst, P. Brianceau, T. Moffitt, G. Rodriguez, Olivier Pollet, Patrice Gergaud, G. Rabille, Marc Sansa, J. M. Fabbri, K. Benedetto, P. Besombes, Laurent Duraffourg, B. Adams, A. I. Vidana, Issam Ouerghi, Willy Ludurczak
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
In this work, we demonstrate for the first time the performance of polysilicon (poly-Si) NEMS fabricated with a low temperature process compatible with a NEMS above IC 3D integration. Most important figures of merit feature values still competitive i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10d6d7a2552ccfd19e5ccee517aa2d11
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409726
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409726
Autor:
C. T. Richard, Remi Beneyton, D. Larmagnac, Abhilash J. Mayur, Shankar Muthukrishnan, Pierre Morin
Publikováno v:
2010 18th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP).
The development of the MilliSecond Anneals (MSA) technology allows the use of short dwell time coupled with a high peak temperature in order to significantly reduce the global thermal budget. These points are fundamental in the phase transformation o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a442b1060cfb399f3df7a46cd1f06d0
https://doi.org/10.1109/rtp.2010.5623790
https://doi.org/10.1109/rtp.2010.5623790
Autor:
C. Comboroure, M. Zussy, L. Pasini, N. Rambal, J.-B. Pin, François Martin, V. Balan, Perrine Batude, C. Vizioz, J.M. Hartmann, Virginie Loup, N. Allouti, Sébastien Barnola, A. Duboust, Frédéric Mazen, O. Faynot, Louis Hutin, Mazzocchi, R. Berthelon, A. Ayres, Gilles Sicard, F. Deprat, Sebastien Hentz, J.-P. Colinge, Francois Andrieu, B. Mathieu, S. Beaurepaire, J. Micout, F. Ponthenier, E. Vianello, F. Fournel, O. Rozeau, E. Avelar Mercado, V. Ripoche, V. Beugin, Cristiano Santos, M.-P. Samson, Pascal Vivet, D. Larmagnac, S. Barraud, C. Euvrard-Colnat, Sebastien Kerdiles, M. Vinet, Benoit Sklenard, P. Acosta Alba, Sebastien Thuries, C. Fenouillet-Beranger, Philippe Rodriguez, X. Garros, Fabrice Nemouchi, R. Gassilloud, O. Billoint, Julien Arcamone, Pascal Besson, Didier Lattard, M. Casse, Laurent Brunet, C.-M. V. Lu, Bernard Previtali
Publikováno v:
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
3D Sequential Integration (3DSI) with ultra-small 3D contact pitch (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8916f9812bae1365018dd5e6a7aa88d0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.