Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"D. Hoffstetter"'
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 140:2427-2432
The transport of copper in silicon dioxide thermally grown on single crystalline silicon was studied by capacitance techniques, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) analysis, and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Metal/oxide/silicon (MO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::84e4c44f6cf1eaaff730a83d2e876d26
https://doi.org/10.1149/1.2220837
https://doi.org/10.1149/1.2220837
Publikováno v:
1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference.
The reliability of copper metallization on silicon-dioxide over single crystalline silicon was studied by capacitance techniques, secondary-ion-mass spectroscopy analysis and Rutherford back scattering. The metallization was either evaporated copper
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05f6c9d71a9c3803ad529bec27d94e9b
https://doi.org/10.1109/vmic.1991.152973
https://doi.org/10.1109/vmic.1991.152973
Publikováno v:
Journal of Natural Products. 43:407-410
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5f6bc5e41fe565b35236a59cf06e7329
https://doi.org/10.1021/np50009a012
https://doi.org/10.1021/np50009a012
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.