Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"D. Helmholz"'
Publikováno v:
physica status solidi (b). 231:457-461
A study of how well tight-binding models can reproduce the optoelectronic properties of GaAs/ AlAs superlattices is carried out. It is shown that two key parameter sets lead to observable differences in the pseudo-direct energy gap regime, as well as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af30bdda0257ff5ace7633f0d5329e54
https://doi.org/10.1002/1521-3951(200206)231:2<457::aid-pssb457>3.0.co
https://doi.org/10.1002/1521-3951(200206)231:2<457::aid-pssb457>3.0.co
Autor:
L. C. Lew Yan Voon, D. Helmholz
Publikováno v:
Physical Review B. 65
The origin of warping in the valence band of silicon is studied using tight-binding and $k\ensuremath{\cdot}p$ calculations. A number of new analytical expressions for the dispersion and effective masses are given. A measure of warping is also propos
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50bbb8ea164e20b125f260d014453372
https://doi.org/10.1103/physrevb.65.233204
https://doi.org/10.1103/physrevb.65.233204
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.