Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"D. Guiheux"'
Autor:
E. Brezza, F. Deprat, C. de Buttet, A. Gauthier, M. Gregoire, D. Guiheux, V. Guyader, M. Juhel, I. Berbezier, E. Assaf, L. Favre, P. Chevalier, C. Gaquière, N. Defrance
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 2023, 204, pp.108654. ⟨10.1016/j.sse.2023.108654⟩
Solid-State Electronics, 2023, 204, pp.108654. ⟨10.1016/j.sse.2023.108654⟩
International audience; A B S T R A C THeterojunction Bipolar Transistors needed for high-frequency applications require precise dopant control. Insitu doped epitaxies used during device fabrication rely on surface preparation to obtain an optimized
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0cfe18456e4b23e3772456d19857235a
https://hal.science/hal-04084450
https://hal.science/hal-04084450
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Victor Gredy, D. Guiheux, V. Brouzet, K. Le-Chao, F. Chenevas-Paule, Delphine Le-Cunff, A. Laurent, V. Coutellier
Publikováno v:
2019 30th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC).
With the introduction of new materials in Back-End of Lines to overcome the development of new options in mature technologies, controlling the local stress and establishing its potential impact on yield becomes more and more critical. In the same way
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::927ef6191b2fdc1e7dcf0a2cf84b2d92
https://doi.org/10.1109/asmc.2019.8791784
https://doi.org/10.1109/asmc.2019.8791784
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Bresson, D. Guiheux, R. Beneyton, Sandrine Lhostis, Joris Jourdon, D. Bouchu, Stephane Moreau, Hélène Fremont, S. Renard
Publikováno v:
IRPS
IRPS, Apr 2017, Monterey, United States. ⟨10.1109/IRPS.2017.7936378⟩
IRPS, Apr 2017, Monterey, United States. ⟨10.1109/IRPS.2017.7936378⟩
This paper presents electromigration results on a hybrid bonding-based test vehicle to study the impact of bonding and passivation annealings on backend of line robustness. Black's parameters extraction leads to typical values of Cu-based interconnec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::70cc39c1722b541891595fbad9cedf9b
https://hal.science/hal-01552793
https://hal.science/hal-01552793
Autor:
N. Bicais, D. Guiheux, S. Kremer, V. Vachellerie, C. Julien, A. Elazami, Pierre Morin, D. Duca, S. Pokrant
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Critical Dimension (CD) control of Gate Spacers is key to achieve in well controlled implantations and a tight distribution of Vt for transistors on semiconductors devices. Presently, historical methods for CD control (top‐down low‐voltage Scanni
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8232fef23cae130f5b5ee93837519ff3
https://doi.org/10.1063/1.2062996
https://doi.org/10.1063/1.2062996
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.