Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"D. Goloshchapov"'
Autor:
M. Sumets, V. Dybov, D. Serikov, E. Belonogov, P. Seredin, D. Goloshchapov, A. Grebennikov, V. Ievlev
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 5, Iss 4, Pp 512-519 (2020)
Amorphous lithium niobate (LiNbO3) films were deposited onto silicon substrates by the radio-frequency magnetron sputtering method in a pure Ar environment and an Ar + O2 gas mixture with various oxygen contents. The oxide charge existing in as-grown
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0cef379ad58d43c0a74c991ddeeacd5c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Grebennikov, D. Serikov, V. M. Ievlev, M. Sumets, D. Goloshchapov, P. Seredin, V. Dybov, E. K. Belonogov
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 5, Iss 4, Pp 512-519 (2020)
Amorphous lithium niobate (LiNbO3) films were deposited onto silicon substrates by the radio-frequency magnetron sputtering method in a pure Ar environment and an Ar + O2 gas mixture with various oxygen contents. The oxide charge existing in as-grown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::41837cf6cd8708be5a50779fca5b9a04
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468217920300666
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468217920300666
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 2086:012118
The aim of the study is the problem of formation of the biomimetic interface between the dental product and dentin of the human tooth as well as the investigations of molecular-chemical features in biointerface with the use of molecular multivariate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::03d4e36c73eda9d0bc483c693b8c2842
https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012118
https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012118
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1695:012043
1-μm-thick GaN layers were obtained in one growth procedure on compliant SiC/Si(111) substrates using plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA MBE). Si(111) substrates were modified by the atoms substitution technique. Prior to the atoms substitut
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f8cbd4b259c99cb9d8b6b6ad98658601
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012043
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012043
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1400:055018
GaN/Si(111) heterostructures were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on usual Si(111) substrates and compliant por-Si/Si(111) substrates without using AlN buffer layer. The positive influence of the high-temperature nitridation step, as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::84855a9fa0112b7e14aff0ecb55656ff
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1400/5/055018
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1400/5/055018