Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"D. Felnhofer"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 84:2158-2164
Using interferometric modulator (IMOD) MEMS-based technology as a typical example, we give an overview of key device concepts of capacitive micro-electro-mechanical systems (MEMS). We discuss basic electromechanical physics of the device, both in the
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 80:58-61
The focus of this paper is charge trapping within HfO2 high-κ metal-oxide-semiconductor capacitors. Charge was injected by constant voltage stress and internal photoemission. Capacitance-voltage and photocurrent-voltage measurements were taken in or
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 103:054101
Photocurrent-voltage (photo-I-V) measurements for oxide charge characterization of high-κ metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors is a viable technique for quantifying both the oxide charge density and the centroid of charge. The latter informati
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.