Zobrazeno 1 - 10
of 270
pro vyhledávání: '"D. Crippa"'
Autor:
M. Agati, S. Boninelli, C. Calabretta, F. Mancarella, M. Mauceri, D. Crippa, M. Albani, R. Bergamaschini, L. Miglio, F. La Via
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 208, Iss , Pp 109833- (2021)
In this paper we report the morphology and the microstructural properties of thick [1 1 1]-oriented 3C-SiC films epitaxially grown on T-shaped Si micropillars. This compliant substrate was designed to release the stress developed in 3C-SiC grown on S
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a54e75fd482c448780f0f6a27b160601
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. M. Vanacore, D. Chrastina, E. Scalise, L. Barbisan, A. Ballabio, M. Mauceri, F. La Via, G. Capitani, D. Crippa, A. Marzegalli, R. Bergamaschini, L. Miglio
In this paper, we address the unique nature of fully textured, high surface-to-volume 3C-SiC films, as produced by intrinsic growth anisotropy, in turn generated by the high velocity of the stacking fault growth front in two-dimensional (111) platele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e15a063058b57b19d0f87083aef8f375
https://hdl.handle.net/11311/1227522
https://hdl.handle.net/11311/1227522
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2:N3051-N3054
The diffusion of SiC devices is limited by higher manufacturing cost than Silicon devices. The big impact on costs comes from the SiC substrate. Cost reduction can be obtained in two ways: the use of low miscut substrates to reduce the material loss
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::085fa93431c465179a45a5b80e37eaec
https://doi.org/10.1149/2.011308jss
https://doi.org/10.1149/2.011308jss
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.