Zobrazeno 1 - 10
of 313
pro vyhledávání: '"D. Chrastina"'
Autor:
B. Severin, D. T. Lennon, L. C. Camenzind, F. Vigneau, F. Fedele, D. Jirovec, A. Ballabio, D. Chrastina, G. Isella, M. de Kruijf, M. J. Carballido, S. Svab, A. V. Kuhlmann, S. Geyer, F. N. M. Froning, H. Moon, M. A. Osborne, D. Sejdinovic, G. Katsaros, D. M. Zumbühl, G. A. D. Briggs, N. Ares
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-10 (2024)
Abstract The potential of Si and SiGe-based devices for the scaling of quantum circuits is tainted by device variability. Each device needs to be tuned to operation conditions and each device realisation requires a different tuning protocol. We demon
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/385c327491be429aa96a7b95e1c05a9f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. M. Vanacore, D. Chrastina, E. Scalise, L. Barbisan, A. Ballabio, M. Mauceri, F. La Via, G. Capitani, D. Crippa, A. Marzegalli, R. Bergamaschini, L. Miglio
In this paper, we address the unique nature of fully textured, high surface-to-volume 3C-SiC films, as produced by intrinsic growth anisotropy, in turn generated by the high velocity of the stacking fault growth front in two-dimensional (111) platele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e15a063058b57b19d0f87083aef8f375
https://hdl.handle.net/11311/1227522
https://hdl.handle.net/11311/1227522
Autor:
J M, Ramirez, V, Vakarin, J, Frigerio, P, Chaisakul, D, Chrastina, X, Le Roux, A, Ballabio, L, Vivien, G, Isella, D, Marris-Morini
Publikováno v:
Optics express. 25(6)
This work explores the use of Ge-rich graded-index Si
Publikováno v:
ECS Transactions. 25:1065-1072
The optimal plasma composition for the deposition of nano-crystalline silicon (nc-Si) films is investigated in connection to electron-impact and gas-phase reaction rates for the generation of useful radicals in a low energy plasma-enhanced chemical v
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. Isella, Jacopo Frigerio, Papichaya Chaisakul, Laurent Vivien, D. Chrastina, V Vakarin, D.Marris Morini, M. S. Rouifed, X. Le Roux
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.