Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"D. Chapek"'
Autor:
T. Lee, Klaus F. Schuegraf, S. Akhtar, B. Shen, Jinshu Zhang, P. Joshi, D. Quon, K. Yin, G. U'ren, A. Kalburge, K. Bell, J. Zheng, K. Ring, P. Kempf, D. Feiler, D. Chapek, D. Dornisch, H. Abdul-Ridha, Howard David J, M. Racanelli, Chun Hu
Publikováno v:
Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212).
A 0.18 /spl mu/m SiGe BiCMOS process optimized for wireless and 40 Gb/s networking applications is described. Bipolar performance of 130 GHz (F/sub t/) and 150 GHz (F/sub max/) is reported. Exceptional LNA characteristics have been measured with 2.5
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::91d79e418329d21fe7a4e76fb3d7de25
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957878
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957878
Autor:
W. Shi, D. Howard, Chenming Hu, D. Quon, K. Bell, K. Yin, P. Kempf, F. Wang, Klaus F. Schuegraf, Jinshu Zhang, H. Tu, P. Joshi, Marco Racanelli, G. U'ren, A. Kar-Roy, B. Shen, L. Lao, S. Vo, D. Chapek, J. Zheng, T. Lee, Amol Kalburge, S. Akhtar
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224).
A scalable SiGe NPN demonstrating Ft*BVceo product of 340 GHz-V with Ft of 170 GHz and BVceo of 2.0 V together with Fmax of 160 GHz is presented. Peak Ft is reached at a relatively low current density of 6 mA//spl mu/m/sup 2/. The device is integrate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::429f394a66f6d56164829521e2e56660
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979506
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979506
Publikováno v:
International Conference on Plasma Science (papers in summary form only received).
Boron implants with ion beam surface modification technology have been used with great success in materials applications. With plasma source ion implantation (PSII), the capability of processing large or complex geometries without sample manipulation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87040bd3bb7d4cd2d8a0195cce8b1b9c
https://doi.org/10.1109/plasma.1995.531470
https://doi.org/10.1109/plasma.1995.531470
Autor:
M.P. Hong, Gilbert Emmert, M. W. Kissick, James Blanchard, J. Firmiss, J. R. Conrad, R.A. Dodd, A. Chen, P.J. Marko, R.J. Maryi, R.P. Fetherston, J.D. Callen, Shamim M. Malik, N. Horswill, D. Chapek, Kumar Sridharan
Publikováno v:
International Conference on Plasma Science (papers in summary form only received).
Summary form only given, as follows. Plasma Source Ion Implantation (PSII) represents a radical departure from conventional ion implantation technology. PSII circumvents the line of sight restriction inherent in conventional ion implantation. In PSII
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::611be7d497bf88241f598a5047484a68
https://doi.org/10.1109/plasma.1995.533480
https://doi.org/10.1109/plasma.1995.533480
Autor:
J. Chen, P. Fetherston, J. R. Conrad, Gilbert Emmert, A. Chen, D. Chapek, R.A. Dodd, X. Ling, James Blanchard, M. Abuzriba
Publikováno v:
23rd Plasmadynamics and Lasers Conference.
A new technique for the surface modification of materials, called plasma source ion implantation (PSII), is described. Compared to conventional line-of-sight ion implantation process, the PSII procedure minimizes the problems of shadowing and excessi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5f78a8ab7d4e5a2097a99bbe1cbe04d
https://doi.org/10.2514/6.1992-3014
https://doi.org/10.2514/6.1992-3014
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.