Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"D. Chalabi"'
Publikováno v:
Journal of Engineering Science and Technology Review. 14:18-22
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf7fee3ca08070c653d658dfd7cf343d
https://doi.org/10.25103/jestr.142.03
https://doi.org/10.25103/jestr.142.03
Autor:
Abdelkader Baghdad Bey, Menaouer Bennaoum, A. Saidane, Mourad Hebali, Mohammed Berka, D. Chalabi, M. Benzohra
Publikováno v:
Journal of Electrical Engineering. 70:145-151
In this paper, the electrical performance of double gate DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC technologies have been studied by BSIM3v3 model. In which the I–V and g m–V characteristics and subthreshold operation of the DGMOSFET have been i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af081716f79dc36b74b5b24aee3ec9fa
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0021
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0021
У роботі було вивчено електричну поведінку комірки пам'яті 6T-SRAM в 3C-SiC за 130 нм технологією CMOS. Вивчення впливу співвідношення комірок (CR),
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aef3971ea9ef76a891214bc40553ea28
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 79:64-69
Design of high-performance electronic components with stable static and dynamic characteristics requires a study of self-heating on electrical properties. TLM method is used to model electrothermal behavior of PIN diodes. Simulation results show a no
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7007f3ede82e6cf2011434c23b696ead
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.07.004
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.07.004
Publikováno v:
Sensor Letters. 15:745-750
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::662460f3a127cd258e2c774ba42a3505
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3878
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3878
Publikováno v:
Sensor Letters. 15:328-332
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90eb6521a923cd8204b36b561e120eea
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3815
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3815
Publikováno v:
Journal of Engineering Science and Technology Review. 10:195-198
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6853223edeb3dbd1e3f7766aa7057821
https://doi.org/10.25103/jestr.105.24
https://doi.org/10.25103/jestr.105.24
BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією
Перспективи та доцільність роботи представлені для транзисторів MOSi1 – xGex змодельованих за 130 нм субмікронною технологією. Модель BSIM3v3 в
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7701c1817089551d4b84477c27dd6520
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 12:06033-1
Сонячні елементи з кремнієвих нанодротів (SiNWs) стають важливим напрямом наукових досліджень, особливо в галузі нових технологій у фотое
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::50665880989d2f21544ae32c8aad81d5
https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06033
https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06033
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.