Výsledky vyhledávání

Silicon nitride films deposited at substrate temperatures <100 °C in a permanent magnet electron cyclotron resonance plasma

Autor: C. Doughty, J. E. Spencer, J. B. Bailey, D. C. Knick

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 17:2612-2618

Deposition of silicon nitride at low temperatures by plasma-enhanced chemical vapor deposition requires an efficient source of activated precursors and high-current, low-energy ion assist. We report the deposition of silicon nitride at substrate temp

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::80a9004e26671a4d179cd61832ddf364
https://doi.org/10.1116/1.582103

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání